SC8 -光学浮区法单晶炉

 

            

功能

            
            

      光学浮区炉主要用于生长高质量的单晶,尤其是氧化物材料。它特别适合生长需要高温(>2000度)、特殊气氛(氧气、惰性气体等)以及高纯度的单晶。Cyberstar公司生产的光学浮区炉的最高温度可达3000摄氏度,最大气压可达100大气压。其原料棒移动速度最慢可至0.01毫米/小时,可以充分保证样品生长时的稳定性。
      主要用于生长高质量的氧化物单晶以用于中子散射等科学研究。其具体材料包括铜氧化合物超导体、巨磁阻材料、钌氧化合物以及钠钴氧材料等。

 

            

指标

            
            

1. 最高温度:3000摄氏度
2. 最大气压:100 大气压
3. 生长气体:氧气或惰性气体
4. 料棒移动速度:0.01 mm/hr – 100 mm/hr
5. 料棒转动速度:0.1-99.9 rpm