报告题目：二维自旋电子材料中的拓扑输运与磁电阻效应

   报告人：王喆 教授  西安交通大学

报告时间：2025年10月13日（星期一）14:30-15:30
报告地点：M253会议室
   联系人：陈其宏 研究员

报告摘要：

二维自旋电子材料因其独特的层间自由度和丰富的自旋相关现象，成为探索新奇量子输运行为和发展高性能自旋电子器件的重要平台。本报告将介绍我们在该领域的最新进展。首先，我们通过自旋过滤效应实现了巨磁阻：利用A型反铁磁半导体构建串联自旋过滤器，获得超过8000%的磁电阻[1]；并通过铁磁金属/铁磁半导体混合自旋过滤器，实现100%的非易失性器件[2]。其次，在反铁磁半导体CrPS₄垂直异质结中，我们发现了磁电阻振荡，并通过系统研究揭示其与自旋倾斜态及自旋选择性层间跃迁、自旋贝里相位的紧密联系[3]。最后，我们提出并实现了石墨烯双层体系中的层间滑移调控，实验观测到拓扑谷输运通道，为探索二维自旋电子材料的新物理提供了新的方法[4]。这些研究表明，利用层间堆垛自由度与自旋相关现象是调控二维电子结构与拓扑输运的有效途径，并为新型自旋电子器件奠定了物理基础。

[1] Nature Communications, 9, 2516 (2018)  

[2] Physical Review Letters, 134, 077001 (2025) 

[3] Physical Review X, 14, 041065 (2024)

[4] Physical Review Letters, 135, 126603 (2025)